我院世源科技公司承接设计的大功率半导体器件igbt产业化建设项目奠基-雷竞技raybet

       2011年5月25日，由我院世源科技工程有限公司承接设计的国内首条8英寸大功率igbt芯片生产线项目 — 株洲南车大功率半导体器件igbt产业化建设项目在湖南省株洲市正式奠基，我院副总工程师、世源科技公司总工程师秦学礼应邀出席奠基仪式。
　　该项目总建筑面积4万多平方米，由中国南车集团株洲南车时代电气股份有限公司投资建设，采用0.35微米制程技术，主要生产高压igbt芯片，项目的产业规模和技术实力均超过国内已有水平，达到国际领先水平。项目完成后，将改变我国igbt关键技术长期受制于人的局面，为增强中国企业在国际市场上的竞争力起到积极的促进作用。
　　igbt作为功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，被广泛应用于轨道交通、航空航天、智能电网、新能源汽车等战略性产业领域，是节能技术和低碳经济的主要支撑，被业界誉为功率变流装置的“cpu”、绿色经济的“核芯”，目前国内igbt的主要供应商为外国厂商。